A história do primeiro Transistor

Transistor

Todos entendemos a importância de um transistor semicondutor e a revolução que isso trouxe para o mundo nos últimos 50 anos. No entanto, poucos de nós sabemos como essa descoberta foi feita.

 

Hoje comemoramos os 67 anos do primeiro transistor semicondutor do mundo, que tem uma história mais interessante do que teríamos imaginado.

 

 

O Semicondutor

 

O trabalho com semicondutores é bem mais antigo. Em 1833, Michael Faraday (sim, o do capacitor) percebeu que a resistência de amostras de sulfeto de prata diminuía quando elas eram aquecidas. A partir disso, outros cientistas observaram comportamentos conectados a efeitos semicondutores, como Edmond Becquerel e Willoughby Smith. No entanto, foi só em 1874 que Karl Ferdinand Braun avançou nessa tecnologia. Ele trabalhava com sulfetos metálicos quando observou o efeito retificador.

 

Figura 1:
Figura 1: Karl Ferdinand Braun, que descobriu o efeito retificador.

 

É muito interessante observar que isso ocorreu em 1874, 23 anos antes da descoberta do elétron, feita por J. J. Tompsom, em 1897. Braun foi contemporâneo de Max Plank, que começou seus estudos em física na mesma época em que ele fez sua descoberta. Plank foi um dos pais da mecânica quântica, que posteriormente explicaria os efeitos observados.

 

Figura H: asdasdasdasd
Figura 2: Cat's Whisker Detector.

Em 1894, o cientista indiano Jagadish Chandra Bose foi o primeiro a usar um cristal para detectar sinais de rádio. Esse novo componente era muito mais prático para as telecomunicações, que então utilizavam diodos de Tubos de Vácuo (Válvulas Diodos). Greenleaf Whittier Pickard evoluiu a ideia e criou em 1903 o primeiro detector feito de silício. Até então, esse novo componente era chamado de "Cat's Whisker", que significa "Bigode de Gato" em uma tradução livre. Vemos que o diodo era usado mais como detector de sinais de rádio do que retificador, uma vez que essa aplicação era muito mais significativa para a época.

 

 

O Triodo

 

A necessidade de controle do fluxo de elétrons, a corrente elétrica, surgiu junto com o advento do rádio. Já em 1906, o Austríaco Robert von Lieben havia inventado o tubo termoiônico com grade de controle, o triodo. Infelizmente Lieben morreu cedo, em 1913, quando tinha apenas 34 anos, e não viu a evolução que a eletrônica sofreria no decorrer dos anos.

 

No mesmo ano, mas de maneira independente, o engenheiro norte-americano Lee de Forest desenvolveu seu triodo. Batizado como Audion, este foi o primeiro triodo comercial desenvolvido. No entanto, ele não era completamente a vácuo, contendo algum gás em baixa pressão. Por conta disso, a vida útil do filamento era baixa e apresentava algum comportamento errático. Apesar disso, suas características amplificadoras foram logo reconhecidas e ele começou a ser usado mais amplamente.

 

Triodo Audion, de 1908.
Figura 3: Triodo Audion, de 1908.

 

 

As primeiras pesquisas

 

O primeiro trabalho que descreve o princípio do transistor de efeito de campo (field-effect transistor, ou FET) foi feito no Canadá pelo físico astro-úngaro (hoje Ucrânia) Julius Edgar Lilienfeld em 1925. No entanto, ele não publicou suas pesquisas, o que acabou isolando seu trabalho da indústria.

 

Por curiosidade, em 1926 ele também trabalhou no desenvolvimento do que viria a se tornar o capacitor eletrolítico. Sua pesquisa utilizava mica e prata que, embora não tenha se mostrado prático para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos, foi importante para o avanço do dispositivo.

Figura 1: Giulius Edgar Lilienfeld, o primeiro a descrever o transistor de efeito de campo, em 1925.
Figura 4: Giulius Edgar Lilienfeld, o primeiro a descrever o FET, em 1925.

 

Figura X: Imagem da patente de Heil, em 1935.
Figura 5: Imagem da patente de Heil, em 1935.

Em 1934, o físico alemão Oskar Heil patenteou outro transistor de efeito de campo. No entanto, não há evidência nenhuma que esse transistor tenha sido construído.

 

Heil também foi importante para o desenvolvimento de tubos a vácuo para a faixa de micro-ondas. O resultado disso foi o desenvolvimento do "Tubo Heil", o que foi fundamental para o desenvolvimento do radar. Esses tubos foram produzidos comercialmente e ainda podem ser encontrados em alguns estoques antigos no eBay com o nome de "Heil Tube".

 

 

 

Os personagens dessa história

 

  • William Shockley

 

Antes de mais nada, não... não é Walter Schottky, do diodo de baixa tensão direta.

 

William Bradford Shockley Jr. foi um físico e inventor, nascido em Londres em 1910. Mudou-se para Palo Alto, na Califórnia, com 3 anos de idade. Recebeu seu bacharel de ciências do Instituto de Tecnologia da Califórnia em 1932, e terminou seu PhD no MIT em 1936.

 

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Figura 6: William Shockley

Logo após seu doutorado, ele se junta à Bell Labs para trabalhar como pesquisador, em Nova Jersey. Publicou uma série de artigos sobre "Física do Estado Sólido" em uma revista especializada, e, em 1938, teve sua primeira patente publicada.

 

Durante a Segunda Guerra Mundial, Shockley começou a trabalhar no desenvolvimento de radares ainda na Bell Labs, em Manhattan, Nova York. No entanto, em 1942 ele deixou a Bell Labs para trabalhar no Grupo de Operações anti-Submarino da Universidade de Colúmbia. Em 1944 ele organizou um treinamento para pilotos de B-29 utilizarem o novo sistema de radar, passando mais de 3 meses ao redor do mundo para avaliar os resultados. Por esse trabalho, o secretário de guerra, Robert Patterson, o condecorou com a "Medalha de Mérito".

 

Com o final da guerra, em 1945, Shockley retorna à Bell Labs para continuar suas pesquisas com "Física de Estado Sólido".

 

  • John Bardeen

John Bardeen nasceu em Wisconsin, em 1908. Ele terminou o colegial e entrou na universidade de Wisconsin em 1923, com apenas 15 anos de idade, recebendo seu bacharelado em Engenharia Elétrica em 1928.

 

Precoce, ele cursou as disciplinas de pós-graduação juntamente com o curso de graduação, o que lhe permitiu defender sua tese e receber o título de mestre em engenharia elétrica em 1929. Apesar disso, permaneceu algum tempo em Wisconsin para aprofundar seus estudos, eventualmente trabalhando como pesquisador no Gulf Research Laboratories (hoje U-PARC). Não bastando tanto estudo, Bardeen foi estudar "Matemática Física" em Princeton, recebendo seu PhD em 1936 com uma tese sobre a Física do Estado sólido.

 

Em 1945 ele vai trabalhar nos laboratórios da Bell Labs, no mesmo grupo de pesquisa que William Shockley.

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Figura 7: John Bardeen.
  • Walter Houser Brattain
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Figura 8: Walter Brattain.

Walter Houser Brattain nasceu em 1902 em Amoy, na China, pois seu pai era professor no instituto Ting-Wen. No entanto, seus pais retornaram aos EUA em 1903 e ele passou a infância e adolescência no estado de Washington.

 

Ele se formou na "Whitman College", em Washington, em 1924. Foi a mesma universidade onde seu pai se formou, em 1901, antes de ir para a China. De lá, continuou seus estudos, concluindo seu mestrado na universidade de Oregon em 1926, e seu doutorado na universidade de Minnesota em 1929.

 

Já em 1929 ele era membro da equipe técnica do Bell Labs, fazendo pesquisa sobre "As Propriedades de Superfícies de Sólidos". Seu trabalho se concentrava na emissão termoiônica. No entanto, seu trabalho foi interrompido em 1942 por conta da guerra. Nesse período, Brattain trabalhou na "Detecção Magnética de Submarinos".

 

  • Bell Laboratories

 

A Bell Labs foi fundada em 1925 como centro de pesquisa e desenvolvimento da AT&T. Seu principal objetivo era desenvolver e aperfeiçoar tecnologias de telecomunicações, mas teve um papel fundamental no desenvolvimento de diversas tecnologias fundamentais para nosso dia a dia.

 

Figura L: Logo da Bell Labs, usado na década de 60.
Figura 9: Logo da Bell Labs, usado na década de 60.

 

Foi desse laboratório que saiu o sistema operacional Unix, em 1969, a linguagem de programação C, em 1972, e C++, em 1979.

 

 

A História

 

Logo após a guerra, Shockley percebeu a possibilidade de criar um dispositivo semicondutor de comportamento similar ao Triodo. Ele conseguiu financiamento e espaço no laboratório, e passou a trabalhar sobre o problema junto com Bardeen e Brattain. Eles batizaram a pesquisa de "Point Contact Resistor", ou "Resistor de Ponto de Contato" em uma tradução livre.

 

Para esse trabalho, Bardeen desenvolveu todo um novo ramo da mecânica quântica denominado "Física de Superfície", para dar conta dos comportamentos estranhos que eles observavam.

 

A chave para esse desenvolvimento foi a compreensão do processo de movimentação dos elétrons no semicondutor. Tomando como base o diodo, eles entenderam que, se houver a possibilidade de controlar o fluxo de elétrons que passa pelo componente, teriam um efeito similar ao Triodo. Eles sabiam onde queriam chegar.

 

Esse desenvolvimento pareceu muito difícil, pois o cristal que estava-se projetando tinha um tamanho muito grande em relação ao fluxo de elétrons. Dessa forma, a quantidade de elétrons necessária para controlar o fluxo seria muito grande, o que tornaria o componente inútil.

 

A solução proposta foi fazer o material aplicar elétrons sobre uma região muito pequena, chamada de região de depleção. A chave para isso seria colocar os contatos de entrada e saída muito próximos um do outro.

 

Em vez de precisar de dois semicondutores separados, ligados por um outro semicondutor comum, uma única superfície maior serviria. As ligações do emissor e coletor seriam colocadas muito próximas uma da outra, com o controle na base do cristal.

 

Quando a corrente foi aplicada na ligação de "base", os elétrons (cargas negativas) ou lacunas (ausência de elétrons, cargas positivas) seriam empurrados para fora do bloco de semicondutor, e coletados na outra superfície. Quanto mais próximo o coletor e o emissor estivessem, menos corrente na base seria necessária para controlar o canal (região de depleção).

 

Com essa ideia em mente, Brattain começou a trabalhar na construção do dispositivo, enquanto se trabalhava na teoria de funcionamento do circuito. O esforço empenhado mostrava, hora um componente promissor, hora um esforço perdido.

 

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Imagem 10: Imagem original das anotações do projeto.

 

O que estava sendo observado é que os elétrons (ou lacunas) se acumulavam na superfície do dispositivo e qualquer carga elétrica fazia com que esses elétrons se dissipassem para meio externo, encontrando uma carga oposta. Dessa forma, era possível aplicar uma pequena carga através de outro ponto do cristal. Assim, seria possível empurrar essas cargas para fora, obtendo o mesmo resultado sem a necessidade de injetar uma grande corrente.

 

17 de Novembro de 1947 - O protótipo molhado

 

Com sua engenhoca montada, Brattain estava observando uma série de condensações elétricas em seu material e não conseguia se livrar delas. Ele sabia que deveria fazer esse experimento em vácuo para evitar esse tipo de comportamento, mas concluiu que isso levaria muito tempo. Brattain, então, mergulhou todo o seu experimento em água.

 

De repente, o dispositivo molhado criou a maior amplificação que eles tinham visto até o momento. Ele e outro cientista, Robert Gibney, olharam para o experimento surpresos. Eles começaram a brincar com diferentes botões e teclas: injetando uma tensão positiva eles aumentavam o efeito ainda mais, mas se mudassem para uma tensão negativa, interrompiam o efeito completamente.

 

Parecia que tudo o que esses elétrons estavam fazendo na superfície para bloquear amplificação de alguma forma foi cancelada pela água - o maior obstáculo para a construção de um amplificador tinha sido superado.

Figura 11: Morgan Sparks segurando um protótipo do primeiro transistor.
Figura 11: Morgan Sparks segurando um protótipo do primeiro transistor.

 

21 de Novembro de 1947 - Do silício ao germânio

 

John Bardeen logo foi informado o que tinha acontecido. Ele sugeriu colocar o dispositivo de silício em água destilada. A água eliminaria esse problema irritante com os elétrons. A parte mais difícil foi o ponto de contato, que não podia tocar na água, só devendo tocar o silício.

 

Mas, como sempre, Brattain era um gênio no laboratório. Ele poderia construir qualquer coisa. E quando esse amplificador foi construído, funcionou. Claro, havia apenas um pouquinho de amplificação - mas funcionou.

 

8 de Dezembro de 1947 - Temos ganho

 

Uma vez que tinham conseguido uma ligeira amplificação com essa pequena gota de água, Bardeen e Brattain imaginaram que estavam no caminho de algo de valor. Usando diferentes materiais, configurações e eletrólitos no lugar da água, os dois homens tentaram obter um aumento ainda maior na corrente.

 

Em seguida, Bardeen sugeriu substituir o silício por germânio. Eles tiveram um salto de corrente (um ganho de cerca de 330 vezes), mas com um comportamento exatamente oposto ao que esperavam. Em vez de mover os elétrons ao longo do eletrólito, foi verificado que o movimento era de "lacunas". No entanto, amplificação é amplificação - era um começo.

 

12 de Dezembro de 1947 - Temos banda

 

Vamos lembrar que eles eram funcionários da Bell Labs, centro de pesquisa de uma empresa de telecomunicações. No final das contas, o dispositivo tem que fazer sentido para o uso em telecomunicações. Apesar de conseguirem excelentes amplificações, sempre trabalharam com frequências muito baixas. Neste momento, esse dispositivo não serviria para as frequências necessárias em uma linha telefônica, que teria de lidar com uma banda de até 4kHz. Assim, o próximo passo foi aumentar o espectro de frequências.

 

Bardeen e Brattain pensaram que o problema poderia ter sido o líquido. Então decidiram utilizar dióxido de germânio - que é, essencialmente, "ferrugem de germânio". Gibney preparou uma placa de germânio com uma camada de óxido verde brilhante de um lado. Esse óxido deveria funcionar como a água, evitando que os elétrons se dissipassem no ar.

 

O protótipo foi montado, as máquinas foram calibradas e preparadas. Eles se debruçaram sobre a bancada e... nada aconteceu.

 

Na verdade, o dispositivo funcionou como o primeiro protótipo, quando não havia a água como proteção; nesse caso, como se não houvesse camada de óxido nenhum. Brattain cutucou o contato de ouro uma e outra vez, e percebeu que era porque não havia uma camada de óxido. Ele o lavou por acidente e ficou furioso consigo mesmo por isso, mas decidiu testar o material de qualquer maneira. Para sua surpresa, ele realmente teve alguma amplificação de tensão - e, mais importante, ele amplificou em todas as frequências!

Figura MM: Dos primeiros esquemas ao transistor.
Figura 12: Dos primeiros esquemas ao transistor.

 

O contato de ouro estava colocando lacunas no germânio, e essas lacunas anulavam o efeito dos elétrons na superfície, da mesma forma que a água fazia. Mas isso era muito melhor do que a versão que usou água, porque agora o dispositivo amplificava em todas as frequências.

 

23 de Dezembro de 1947 - Juntando Tudo

 

Nos primeiros testes feitos, Bardeen e Brattain tinham conseguido uma grande amplificação em baixas frequências. Nos testes seguintes, conseguiram uma pequena amplificação para todas as frequências. Agora eles só tinham de combinar os dois resultados.

 

Figura 13: Esquema do protótipo do transistor.
Figura 13: Esquema do protótipo do transistor.

 

Eles sabiam que os principais componentes eram uma placa de germânio e dois pontos de contatos de ouro com frações de milímetro de distância. Walter Brattain colocou uma folha de ouro em torno de um triângulo de plástico, e o cortou na ponta, criando assim dois pontos de contato. Ao colocar a ponta do triângulo no germânio, eles viram um efeito fantástico - o sinal veio através de um contato de ouro e apareceu amplificado no outro contato. O primeiro transistor de ponto de contato tinha sido feito.

 

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Figura 14: Todos os elementos do transistor estavam lá.

 

Durante uma semana, os cientistas mantiveram seu sucesso em segredo. Shockley solicitou que Bardeen e Brattain mostrassem o seu pequeno triângulo de plástico em uma reunião do laboratório para seus superiores. Depois que o resto do laboratório teve a chance de dar uma olhada e realizar alguns testes, foi oficial - este pequeno pedaço de germânio, plástico e ouro foi o primeiro amplificador de estado sólido que funcionou.

 
 

Figura 15: Nota da Bell Labs de 01/Julho/1948.

Comunicado à Imprensa

 

Um dispositivo incrivelmente único, capaz de desempenhar com eficiência quase todas as funções de um tubo de vácuo comum, foi demonstrado pela primeira vez ontem no Bell Telephone Laboratories, onde ele foi inventado.

 

Conhecido como Transistor, o dispositivo funciona em um princípio físico inteiramente novo descoberto pelo Bell Labs durante a investigação fundamental para as propriedades elétricas de sólidos. Embora o dispositivo ainda esteja em fase de laboratório, os cientistas e engenheiros da Bell esperam que ele possa ter significância em longo alcance na eletrônica e comunicação elétrica.

 

Uma das primeiras testemunha do fenômeno foi Ralph Bray, um jovem estudante. Ele juntou-se à pesquisa sobre o germânio na Universidade de Purdue em Novembro de 1943 e lhe foi dada a difícil tarefa de medir a resistência entre os contatos de metal semicondutor.

 

Bray havia encontrado um grande número de anomalias, tais como barreiras internas de alta resistividade em algumas amostras de germânio. O fenômeno mais curioso foi a excepcional baixa resistência observada quando foram aplicados pulsos de tensão.

 

Esse efeito permaneceu um mistério porque ninguém percebeu , até 1948, que Bray tinha observado injeção de portadores minoritários - efeito que foi identificado por Shockley nos Laboratórios Bell e fez o transistor uma realidade. Bray escreveu:

 

"Esse foi um aspecto que nós perdemos, mas mesmo se tivéssemos entendido a ideia de injeção de portadores minoritários... nós teríamos dito: 'Oh, isso explica os nossos efeitos'. Nós não poderíamos necessariamente ir em frente e dizer: 'Vamos começar a fazer transistores', abrir uma fábrica e vendê-los... Naquela época, o dispositivo importante era o retificador de alta tensão reversa".

 

Figura F: Capa da revista "Electronics Magazine", de Setembro/1948.
Figura 16: Capa da revista "Electronics Magazine", de Setembro/1948.

 

 

O Batismo

 

Tão logo a Bell Labs percebeu o potencial do componente, começou uma divulgação interna sobre a invenção. No entanto, este dispositivo ainda não tinha nome. Então, em 28 de Maio de 1948, um grupo selecionado foi montado para a seleção do nome desse novo componente.

 

Figura U: Seleção do nome do novo componente.
Figura 17: Seleção do nome do novo componente.

As opções eram definidas, e os 26 colaboradores tinham que escolher entre uma dessas opções:

 

  • Semiconductor Triode;
  • Surface States Triode;
  • Crystal Triode;
  • Solid Triode;
  • Iotatron;
  • transistor.

 

Sim, esse novo componente, baseado em uma tecnologia completamente nova, quase se chamou Iotatron. Mas sabemos como essa história termina, o nome escolhido foi transistor. A explicação dada seria a junção de "transcondutância" ou "Transferência" com "Varistor".

 

 

A Vida pós Bell Labs

 

Apesar da inquestionável inovação e do reconhecimento da pesquisa, demorou alguns anos até conseguirem transformar o recém batizado Transistor em um componente comercial. Eles ganharam o prêmio Nobel de física de 1956, pela "Pesquisa com Semicondutores e a descoberta do Efeito transistor".

 

Figura c: Photo da revista Life, de 1954.
Figura 18: Foto da revista Life, de 1954. Da esquerda para a direita, John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain.

 

No entanto, apesar do grande sucesso conseguido pelo grupo, a relação entre eles nunca foi muito boa, principalmente pelo gênio difícil de Shockley. Ele acreditava que, uma vez que a ideia do transistor era dele, ele deveria ter seu nome incluído na patente. No final das contas, as patentes foram tiradas apenas em seu nome, fato que prejudicou Bardeen e, principalmente, Brattain.

 

  • Shockley

 

Em 1951, Shockley foi eleito membro da "Academia Nacional de Ciências" e recebeu uma promoção dentro da Bell. Com seu ego inflado, ele se tornou intragável. Nesse ano John Bardeen deixa a Bell para procurar algo novo, e Brattain se recusa a continuar trabalhando com Shockley e passa a fazer parte de outra equipe.

 

Seu gênio fazia com que discordasse frequentemente de sua diretoria. Essas discussões o motivou a tirar uma licença em 1953, trabalhando por 4 meses como professor visitante no Instituto de Tecnologia da Califórnia (Caltech).

 

Em 1955 ele decide se desligar da Bell Labs e se junta com Beckman Instruments, formando assim a Beckman Shockley Semiconductor Laboratory. Ele tentou trazer seus ex-colegas da Bell, mas como todos conheciam seu gênio difícil, recusaram. Shockley passou a buscar nas universidades, montando assim a equipe que julgava melhor para o trabalho.

 

Imagem
Imagem 19: Beckman Shockley Semiconductor Laboratory.

 

Apesar disso, seu estilo de gestão fez com que 8 de seus pesquisadores se desligassem em 1957. Eles foram conhecidos como "Os 8 Traidores". Esses pesquisadores acabaram por criar novas empresas, entre elas a AMD e a Intel. Em 1960 a empresa "Shockley Semiconductor" foi vendida. Ele se associa à universidade Stanford, onde se torna professor.

 

  • Brattain

 

Walter Houser Brattain continuou trabalhando na Bell Labs, colaborando em outras pesquisas. Posteriormente chegou a trabalhar com John Bardeen em 1951, ajudando em suas pesquisas. Ele se aposentou em 1967 e foi trabalhar como professor titular na Whitman College, a universidade onde ele e seu pai se formaram.

 

  • Bardeen

 

John Bardeen foi eleito para a "Academia Nacional de Ciências", em 1959. Além do Nobel pela pesquisa com Transistores, ele recebeu a "Medalha Stuart Ballantine" da "Swedish Royal Society" e do "Institute of Electrical and Electronic Engineers".

 

Bardeen continuou trabalhando para a Bell Labs até 1951, quando decidiu procurar por algo novo. Um amigo, Fred Seitz convenceu a universidade de Illinois a contratá-lo pagando U$10.000 por ano (na época, muito dinheiro). Bardeen aceitou, se desligando da Bell Labs. Lá, foi professor de engenharia elétrica e física. Seu primeiro aluno de doutorado foi nada menos que Nick Holonyak, o inventor do LED.

 

Logicamente Bardeen trabalhou em pesquisas nessa universidade, inicialmente com os aspectos teóricos dos semicondutores, mas posteriormente com líquidos quânticos e supercondutividade. Foi nessa segunda que ele ganhou seu segundo Nobel de física, em 1972.

 

Ele continuou trabalhando na universidade até 1975. Mesmo após se afastar, ele continuou desenvolvendo pesquisas e publicando artigos durante toda a década de 1980, até pouco tempo antes de sua morte.

 

 

O Legado

 

Chega a ser dispensável falar sobre o legado desse trabalho. Vivemos em mais de meio século completamente mergulhados em aparelhos e equipamentos que funcionam à base de um semicondutor.

 

Começamos a integrar nossos transistores em circuitos lógicos, a calcular a capacidade de nossos processadores em milhares de transistores integrados. Hoje nem isso é mais possível, a complexidade dos circuitos exigiu que começássemos trabalhar com "instruções por segundo".

 

Vídeo 1 - Little Giant - Vídeo da Agência de Informação dos EUA sobre o transistor.

 

Felizmente nossos heróis viveram para ver os acontecimentos que viriam a seguir. Todos viram a revolução dos semicondutores, o desenvolvimento do circuito integrado e a criação dos computadores pessoais.

 

William Sockley morreu em Agosto de 1989 de câncer de próstata, aos 79 anos. Walter Brattain infelizmente desenvolveu Alzheimer, e passou 4 anos e meio em uma casa de enfermagem em Seattle. Acabou morrendo em Outubro de 1987, com 85 anos. John Bardeen morreu de problemas cardíacos em Janeiro de 1991, com 82 anos.

 

Vídeo 2: Entrevista feita em 1969 com Shockley sobre o transistor

 

A esses heróis, que passaram o Natal em um laboratório brincando com eletrônica, como talvez muitos de nós também passaremos, fica aqui nossa homenagem e um muito obrigado.

 

 

Referências

 

http://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

http://pt.wikipedia.org/wiki/El%C3%A9tron

http://en.wikipedia.org/wiki/Diode

http://en.wikipedia.org/wiki/Triode

http://en.wikipedia.org/wiki/Robert_von_Lieben

http://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld

http://en.wikipedia.org/wiki/Electrolytic_capacitor

http://en.wikipedia.org/wiki/History_of_the_transistor

http://en.wikipedia.org/wiki/Oskar_Heil

http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_diode

http://en.wikipedia.org/wiki/William_Shockley

http://en.wikipedia.org/wiki/John_Bardeen

http://en.wikipedia.org/wiki/University_of_Pittsburgh_Applied_Research_Center

http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/brattain-bio.html

http://www.nasonline.org/publications/biographical-memoirs/memoir-pdfs/brattain-walter-h.pdf

http://books.google.ca/books?id=00r9waSNv1cC

http://pt.wikipedia.org/wiki/Bell_Labs

http://en.wikipedia.org/wiki/Unix

http://en.wikipedia.org/wiki/C_%28programming_language%29

http://en.wikipedia.org/wiki/C%2B%2B

http://www.pbs.org/transistor/background1/events/miraclemo.html

http://en.wikipedia.org/wiki/History_of_the_transistor

http://www.madehow.com/inventorbios/54/Walter-Houser-Brattain.html

http://en.wikipedia.org/wiki/List_of_Nobel_laureates_in_Physics

http://www.magnet.fsu.edu/education/tutorials/pioneers/brattain.html

http://en.wikipedia.org/wiki/Nick_Holonyak

 

Figura 1: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/55/Ferdinand_Braun.jpg

Figura 2: http://en.wikipedia.org/wiki/Cat%27s-whisker_detector

Figura 3: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/1/14/Triode_tube_1906.jpg

Figura 4: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/59/Julius_Edgar_Lilienfeld_%281881-1963%29.jpg

Figura 5: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/en/2/20/Heil_patent_figs.png

Figura 6: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/f8/William_Shockley%2C_Stanford_University.jpg

Figura 7: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/4/4a/Bardeen.jpg

Figura 8: http://en.wikipedia.org/wiki/File:Brattain.jpg

Figura 9: http://www.beaufonts.com/7090/archive.html

Figura 10: http://www.beatriceco.com/bti/porticus/bell/pdf/transistor_labbook.pdf

Figura 11: http://www.nysun.com/obituaries/morgan-sparks-91-made-first-practical-transistor/76095/

Figura 12: https://c2.staticflickr.com/6/5191/5804924552_9818c025d1_z.jpg

Figura 13: http://www.explainthatstuff.com/howtransistorswork.html

Figura 14: http://mstatic.mit.edu/mit150/123p.jpg

Figura 15: http://www.beatriceco.com/bti/porticus/bell/pdf/bell-labs%20transistor%20announcement.pdf

Figura 16: http://www.smh.com.au/news/technology/the-transistor-at-60/2007/11/26/1196036813732.html

Figura 17: http://www.beatriceco.com/bti/porticus/bell/pdf/transistorname.pdf

Figura 18: https://www.tumblr.com/search/John+Bardeen

Figura 19: http://spectrum.ieee.org/at-work/innovation/how-william-shockleys-robot-dream-helped-launch-silicon-valley

Vídeo 1: https://www.youtube.com/watch?v=2466CBuOxVg

Vídeo 2: https://www.youtube.com/watch?v=LWGVuoisDbI

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excelente artigo

Bruno Fernandes Estevão
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Bruno Fernandes Estevão

Esse artigo prendeu minha atenção, assunto perfeito, artigo muito bem elaborado, parabéns Francesco e equipe Embarcados!

Cesar Junior
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Cesar Junior

Parabens!! Muito bom saber da história e como tudo está interligado!

Mario Wilson
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Mario Wilson

Grande história! Impressionante ver como a história da tecnologia é tão interligada, inventor do LED, criadores da AMD e Intel todos tiveram contato com outros monstros da Eletrônica!
Parabéns pelo trabalho Francesco!

Gabriel Gomes
Membro
Gabriel Gomes

realmente impressionante!!

Andre Tenorio
Membro
Andre Tenorio

sensacional!